Infineon Technologies - IKW50N65EH5XKSA1

KEY Part #: K6422698

IKW50N65EH5XKSA1 価格設定(USD) [14938個在庫]

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品番:
IKW50N65EH5XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IKW50N65EH5XKSA1 製品の属性

品番 : IKW50N65EH5XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
シリーズ : TrenchStop™
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 80A
電流-パルスコレクター(Icm) : 200A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 50A
パワー-最大 : 275W
スイッチングエネルギー : 1.5mJ (on), 500µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 120nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 25ns/172ns
試験条件 : 400V, 50A, 12 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 81ns
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-3