ON Semiconductor - FGY75T120SQDN

KEY Part #: K6421759

FGY75T120SQDN 価格設定(USD) [9379個在庫]

  • 1 pcs$4.39378

品番:
FGY75T120SQDN
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 1200V 75A UFS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGY75T120SQDN 製品の属性

品番 : FGY75T120SQDN
メーカー : ON Semiconductor
説明 : IGBT 1200V 75A UFS
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 150A
電流-パルスコレクター(Icm) : 300A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.95V @ 15V, 75A
パワー-最大 : 790W
スイッチングエネルギー : 6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 399nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 64ns/332ns
試験条件 : 600V, 75A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 99ns
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-3

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