Taiwan Semiconductor Corporation - SF1008GHC0G

KEY Part #: K6429268

SF1008GHC0G 価格設定(USD) [318099個在庫]

  • 1 pcs$0.11628

品番:
SF1008GHC0G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SF1008GHC0G electronic components. SF1008GHC0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SF1008GHC0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SF1008GHC0G 製品の属性

品番 : SF1008GHC0G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AB
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 5A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 35ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : 50pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • DB3X501K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 50V 200MA MINI3.

  • DB3X207K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 20V 1A MINI3.

  • DA3X108K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 300V 100MA MINI3.

  • VT5202-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 200V 5A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers 5A 200V Trench Stky Rectifier

  • SS12P2LHM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12A,20V,SM SKY RECT.

  • MBR1090HC0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 90V 10A TO220AC.