Toshiba Semiconductor and Storage - RN1413(TE85L,F)

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RN1413(TE85L,F) 価格設定(USD) [3175599個在庫]

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品番:
RN1413(TE85L,F)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1413(TE85L,F) 製品の属性

品番 : RN1413(TE85L,F)
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : NPN - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 47 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : -
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100nA (ICBO)
頻度-遷移 : 250MHz
パワー-最大 : 200mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ : S-Mini

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