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- 品番:
- BAS16WE6327HTSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BAS16WE6327HTSA1 electronic components. BAS16WE6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16WE6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS16WE6327HTSA1 製品の属性
品番 :
BAS16WE6327HTSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
80V
電流-平均整流（Io） :
250mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 150mA
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
4ns
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 75V
静電容量@ Vr、F :
2pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-SOT323-3
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
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