GeneSiC Semiconductor - MBRTA40035RL

KEY Part #: K6475811

[5975個在庫]


    品番:
    MBRTA40035RL
    メーカー:
    GeneSiC Semiconductor
    詳細な説明:
    DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3TOWER.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRTA40035RL electronic components. MBRTA40035RL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRTA40035RL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MBRTA40035RL 製品の属性

    品番 : MBRTA40035RL
    メーカー : GeneSiC Semiconductor
    説明 : DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3TOWER
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
    ダイオードタイプ : Schottky
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 35V
    電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 600mV @ 200A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : -
    電流-Vrでの逆漏れ : 3mA @ 35V
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
    取付タイプ : Chassis Mount
    パッケージ/ケース : Three Tower
    サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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