Infineon Technologies - D770N12TXPSA1

KEY Part #: K6443296

D770N12TXPSA1 価格設定(USD) [1391個在庫]

  • 1 pcs$31.10596

品番:
D770N12TXPSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1.2KV 770A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies D770N12TXPSA1 electronic components. D770N12TXPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for D770N12TXPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

D770N12TXPSA1 製品の属性

品番 : D770N12TXPSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE GEN PURP 1.2KV 770A
シリーズ : -
部品ステータス : Last Time Buy
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 770A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.08V @ 400A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 30mA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : DO-200AA, A-PUK
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 180°C

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-5EWX06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers 5A 600V 14ns Hyperfast

  • VS-APH3006-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V 27ns Hyperfast

  • V20150SHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-220AB.

  • V20150SGHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-220AB.

  • V20120SGHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB.

  • V20120SHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB.