2N7002ET7G 価格設定（USD） [3428205個在庫]
- 1 pcs$0.01079
- 品番:
- 2N7002ET7G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- NFET SOT23 60V 115MA 7MO.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor 2N7002ET7G electronic components. 2N7002ET7G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7002ET7G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2N7002ET7G 製品の属性
品番 :
2N7002ET7G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
NFET SOT23 60V 115MA 7MO
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
260mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.5 Ohm @ 240mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.81nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
40pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300mW (Tj)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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