ON Semiconductor - HGTG20N60B3D

KEY Part #: K6423134

HGTG20N60B3D 価格設定(USD) [14634個在庫]

  • 1 pcs$2.73675
  • 10 pcs$2.45822
  • 100 pcs$2.01400
  • 500 pcs$1.71449
  • 1,000 pcs$1.44595

品番:
HGTG20N60B3D
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 600V 40A 165W TO247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor HGTG20N60B3D electronic components. HGTG20N60B3D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTG20N60B3D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTG20N60B3D 製品の属性

品番 : HGTG20N60B3D
メーカー : ON Semiconductor
説明 : IGBT 600V 40A 165W TO247
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 40A
電流-パルスコレクター(Icm) : 160A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2V @ 15V, 20A
パワー-最大 : 165W
スイッチングエネルギー : 475µJ (on), 1.05mJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 80nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : -
試験条件 : -
逆回復時間(trr) : 55ns
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247