GeneSiC Semiconductor - 1N1190

KEY Part #: K6425450

1N1190 価格設定(USD) [11842個在庫]

  • 1 pcs$3.48004
  • 100 pcs$2.99160

品番:
1N1190
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 35A DO5. Rectifiers 600V 35A Std. Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1190 製品の属性

品番 : 1N1190
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 35A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 35A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AB, DO-5, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-5
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 190°C
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