ZXTP56060FDBQ-7 価格設定（USD） [467536個在庫]
- 1 pcs$0.07911
- 品番:
- ZXTP56060FDBQ-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXTP56060FDBQ-7 electronic components. ZXTP56060FDBQ-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXTP56060FDBQ-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXTP56060FDBQ-7 製品の属性
品番 :
ZXTP56060FDBQ-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
2 PNP (Dual)
電流-コレクター（Ic）（最大） :
2A
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
60V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
450mV @ 200mA, 2A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
170 @ 100mA, 2V
パワー-最大 :
510mW
頻度-遷移 :
-
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
U-DFN2020-6
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