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- 品番:
- RN1131MFV(TL3,T)
- 詳細な説明:
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV(TL3,T) electronic components. RN1131MFV(TL3,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1131MFV(TL3,T), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RN1131MFV(TL3,T) 製品の属性
品番 :
RN1131MFV(TL3,T)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
NPN - Pre-Biased
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
100 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
-
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
頻度-遷移 :
-
パワー-最大 :
150mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-723
サプライヤーデバイスパッケージ :
VESM
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