S5DHE3_A/I 価格設定（USD） [437834個在庫]
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- 品番:
- S5DHE3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB. Rectifiers 5A 200V 100A@8.3ms Single Die Auto
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S5DHE3_A/I electronic components. S5DHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S5DHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S5DHE3_A/I 製品の属性
品番 :
S5DHE3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
5A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.15V @ 5A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
2.5µs
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F :
40pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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