VS-8EWF06STRL-M3 価格設定（USD） [46959個在庫]
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- 品番:
- VS-8EWF06STRL-M3
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWF06STRL-M3 electronic components. VS-8EWF06STRL-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8EWF06STRL-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-8EWF06STRL-M3 製品の属性
品番 :
VS-8EWF06STRL-M3
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.2V @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
55ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-PAK (TO-252AA)
動作温度-ジャンクション :
-40°C ~ 150°C
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ホットパーツ
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
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- CDBMT150-HF
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- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
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- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
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- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
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- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
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- BYW27-200GP-E3/54