現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. 集積回路（IC）
  4. 記憶
  5. IS43R16160F-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16160F-6TLI

KEY Part #: K940243

IS43R16160F-6TLI 価格設定（USD） [28644個在庫]

  • 1 pcs$1.90382
品番:
IS43R16160F-6TLI
メーカー:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
詳細な説明:
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、インターフェース-センサー、静電容量式タッチ, PMIC-AC DCコンバーター、オフラインスイッチャー, インターフェース-コントローラー, データ収集-A / Dコンバーター（ADC）, クロック/タイミング-ICバッテリー, インターフェース-モデム-ICおよびモジュール, リニア-アナログ乗算器、除算器 and データ収集-デジタルポテンショメータを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6TLI electronic components. IS43R16160F-6TLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R16160F-6TLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R16160F-6TLI 製品の属性

品番 : IS43R16160F-6TLI
メーカー : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
説明 : IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM - DDR
メモリー容量 : 256Mb (16M x 16)
クロック周波数 : 166MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 15ns
アクセス時間 : 700ps
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 2.3V ~ 2.7V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 66-TSOP II

最新ニュース

Silicom MinnowBoard Turbot
あなたも興味があるかもしれません
  • CY7C199D-25SXET

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs

  • W94AD2KBJX5E TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R

  • W632GG8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GG8MB-11

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz

  • W632GU8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GU8MB-12

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,

ホットパーツ