Infineon Technologies - DD800S17H4B2BOSA2

KEY Part #: K6472757

DD800S17H4B2BOSA2 価格設定(USD) [110個在庫]

  • 1 pcs$417.25024

品番:
DD800S17H4B2BOSA2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 1700V 800A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DD800S17H4B2BOSA2 製品の属性

品番 : DD800S17H4B2BOSA2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 1700V 800A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 2 Independent
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1700V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : -
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.1V @ 800A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 900A @ 900V
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : AG-IHMB130-1

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