説明 :
IC GATE DVR HALF BRIDGE 16SOIC
門型 :
IGBT, N-Channel MOSFET
ロジック電圧-VIL、VIH :
4.5V, 9.5V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
3A, 3A
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
600V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
25ns, 20ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
16-SOIC