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Microsemi Corporation - 1N4150-1

KEY Part #: K6440514

1N4150-1 価格設定（USD） [36388個在庫]

  • 1 pcs$0.85711
  • 10 pcs$0.77432
  • 25 pcs$0.69137
  • 100 pcs$0.62230
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  • 1,000 pcs$0.40103
  • 2,500 pcs$0.37337
  • 5,000 pcs$0.34883
品番:
1N4150-1
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation 1N4150-1 electronic components. 1N4150-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4150-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4150-1 製品の属性

品番 : 1N4150-1
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 50V
電流-平均整流（Io） : 200mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1V @ 200mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） : 4ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-35
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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