Comchip Technology - SB2100E-G

KEY Part #: K6451584

SB2100E-G 価格設定(USD) [944660個在庫]

  • 1 pcs$0.04132
  • 4,000 pcs$0.04111
  • 8,000 pcs$0.03862
  • 12,000 pcs$0.03613
  • 28,000 pcs$0.03322

品番:
SB2100E-G
メーカー:
Comchip Technology
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO15.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Comchip Technology SB2100E-G electronic components. SB2100E-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SB2100E-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SB2100E-G 製品の属性

品番 : SB2100E-G
メーカー : Comchip Technology
説明 : DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO15
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 850mV @ 2A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 500µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AC, DO-15, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-15
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • 20ETF04FP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • 8EWF10S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • 8EWF12S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

  • VS-50WQ10FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • 30WQ10FNTR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.

  • 8EWS08S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.