GeneSiC Semiconductor - MBR600200CTR

KEY Part #: K6468517

詳細な説明:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Reverse

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR electronic components. MBR600200CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : MBR600200CTR

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode

ダイオードタイプ : Schottky

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 200V

電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） : 300A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 920mV @ 300A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 3mA @ 200V

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : Twin Tower

サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower

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