Vishay Semiconductor Diodes Division - G2SBA20-M3/51

KEY Part #: K6541472

G2SBA20-M3/51 価格設定(USD) [12363個在庫]

  • 2,800 pcs$0.19164

品番:
G2SBA20-M3/51
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division G2SBA20-M3/51 electronic components. G2SBA20-M3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for G2SBA20-M3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

G2SBA20-M3/51 製品の属性

品番 : G2SBA20-M3/51
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Single Phase
技術 : Standard
電圧-ピーク逆方向(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 1.5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 750mA
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 200V
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : 4-SIP, GBL
サプライヤーデバイスパッケージ : GBL

あなたも興味があるかもしれません
  • MBL106S-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A 4SMD.

  • DBD10G-E

    ON Semiconductor

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A.

  • NSR1030QMUTAG

    ON Semiconductor

    BRIDGE RECT 1PHASE 30V 1A 4UDFN. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 30 V SCHOTTKY FULL

  • NSR2030QMUTAG

    ON Semiconductor

    BRIDGE RECT 1PHASE 30V 2A 4UDFN. Schottky Diodes & Rectifiers 2A 30 V SCHOTTKY FUL

  • DBB08G-TM-E

    ON Semiconductor

    BRIDGE RECT 1P 600V 800MA 4SMD.

  • KBP210-BP

    Micro Commercial Co

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPR.