Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG0S3HBAI4

KEY Part #: K939351

TC58BYG0S3HBAI4 価格設定（USD） [24757個在庫]

1 pcs$1.85094

品番:: TC58BYG0S3HBAI4

メーカー:: Toshiba Memory America, Inc.

詳細な説明:: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、PMIC-電圧レギュレータ-特別な目的, インターフェース-テレコム, インターフェース-モジュール, PMIC-電源管理-専門, メモリ-コントローラー, クロック/タイミング-リアルタイムクロック, 組み込み-マイクロコントローラー、マイクロプロセッサー、FPGAモジュール and PMIC-バッテリー充電器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG0S3HBAI4 electronic components. TC58BYG0S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG0S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

TC58BYG0S3HBAI4 製品の属性

品番 : TC58BYG0S3HBAI4

メーカー : Toshiba Memory America, Inc.

説明 : 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE

シリーズ : Benand™

部品ステータス : Active

メモリタイプ : Non-Volatile

メモリフォーマット : FLASH

技術 : FLASH - NAND (SLC)

メモリー容量 : 1Gb (128M x 8)

クロック周波数 : -

書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 25ns

アクセス時間 : -

メモリインターフェース : -

電圧-供給 : 1.7V ~ 1.95V

動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : 63-VFBGA

サプライヤーデバイスパッケージ : 63-TFBGA (9x11)

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