ON Semiconductor - FDP8D5N10C

KEY Part #: K6392659

FDP8D5N10C 価格設定(USD) [39860個在庫]

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品番:
FDP8D5N10C
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
FET ENGR DEV-NOT REL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP8D5N10C 製品の属性

品番 : FDP8D5N10C
メーカー : ON Semiconductor
説明 : FET ENGR DEV-NOT REL
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 76A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 130µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2475pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.4W (Ta), 107W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

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