ON Semiconductor - NGTD5R65F2WP

KEY Part #: K6443156

NGTD5R65F2WP 価格設定(USD) [278337個在庫]

  • 1 pcs$0.13289
  • 1,875 pcs$0.10631

品番:
NGTD5R65F2WP
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 650V DIE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NGTD5R65F2WP electronic components. NGTD5R65F2WP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTD5R65F2WP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTD5R65F2WP 製品の属性

品番 : NGTD5R65F2WP
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 650V DIE
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 650V
電流-平均整流(Io) : -
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 20A
速度 : -
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 650V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : Die
サプライヤーデバイスパッケージ : Die
動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-60APU02PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V UF TO247AC

  • VS-80APS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers 800 Volt 1450 Amp

  • VS-APH3006-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V 27ns Hyperfast

  • V30120SHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB.

  • V30120SGHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB.

  • V30100SHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220AB.