Microsemi Corporation - JANTX1N5811US

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JANTX1N5811US 価格設定(USD) [7541個在庫]

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品番:
JANTX1N5811US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 150V HR SM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5811US 製品の属性

品番 : JANTX1N5811US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/477
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 150V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 875mV @ 4A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 150V
静電容量@ Vr、F : 60pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ : B, SQ-MELF
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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