ON Semiconductor - FGA15N120ANTDTU-F109

KEY Part #: K6422513

FGA15N120ANTDTU-F109 価格設定(USD) [34382個在庫]

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品番:
FGA15N120ANTDTU-F109
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 1200V 30A 186W TO3P.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGA15N120ANTDTU-F109 製品の属性

品番 : FGA15N120ANTDTU-F109
メーカー : ON Semiconductor
説明 : IGBT 1200V 30A 186W TO3P
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : NPT and Trench
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 30A
電流-パルスコレクター(Icm) : 45A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.4V @ 15V, 15A
パワー-最大 : 186W
スイッチングエネルギー : 3mJ (on), 600µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 120nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 15ns/160ns
試験条件 : 600V, 15A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 330ns
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3P