GeneSiC Semiconductor - MBR200100CTR

KEY Part #: K6468815

MBR200100CTR 価格設定(USD) [1424個在庫]

  • 1 pcs$30.41954
  • 25 pcs$22.84681

品番:
MBR200100CTR
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70R
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR200100CTR electronic components. MBR200100CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR200100CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR200100CTR 製品の属性

品番 : MBR200100CTR
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 840mV @ 100A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 5mA @ 20V
動作温度-ジャンクション : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower
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