Taiwan Semiconductor Corporation - ES3DHM6G

KEY Part #: K6434595

ES3DHM6G 価格設定(USD) [761822個在庫]

  • 1 pcs$0.04855

品番:
ES3DHM6G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3DHM6G 製品の属性

品番 : ES3DHM6G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 950mV @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 35ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : 45pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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