GeneSiC Semiconductor - MURT20060R

KEY Part #: K6468596

MURT20060R 価格設定(USD) [999個在庫]

  • 1 pcs$46.46811
  • 25 pcs$29.08672

品番:
MURT20060R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURT20060R electronic components. MURT20060R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURT20060R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURT20060R 製品の属性

品番 : MURT20060R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 100A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 160ns
電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 50V
動作温度-ジャンクション : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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