GeneSiC Semiconductor - MURT20060R

KEY Part #: K6468596

詳細な説明:: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MURT20060R electronic components. MURT20060R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURT20060R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : MURT20060R

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V

電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） : 200A (DC)

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.7V @ 100A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 160ns

電流-Vrでの逆漏れ : 25µA @ 50V

動作温度-ジャンクション : -

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : Three Tower

サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower

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