IRF9Z24STRRPBF 価格設定（USD） [71765個在庫]
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- 品番:
- IRF9Z24STRRPBF
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRF9Z24STRRPBF electronic components. IRF9Z24STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9Z24STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF9Z24STRRPBF 製品の属性
品番 :
IRF9Z24STRRPBF
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
280 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
570pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.7W (Ta), 60W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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