GeneSiC Semiconductor - MBR50035CTR

KEY Part #: K6468580

MBR50035CTR 価格設定(USD) [1106個在庫]

  • 1 pcs$39.14459
  • 25 pcs$30.25015

品番:
MBR50035CTR
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 35V 500A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 35P/25R
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR50035CTR electronic components. MBR50035CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR50035CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR50035CTR 製品の属性

品番 : MBR50035CTR
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 35V 500A 2TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 35V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 500A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 750mV @ 250A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 20V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower
あなたも興味があるかもしれません
  • BAS7006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23.

  • BAT240AE6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 240V SOT23.

  • BAS4006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

  • BAS7006E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 V 70 mA

  • BAT1804E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 35V 100MA SOT23.

  • BAT6404E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Diodes