Microsemi Corporation - APT35GT120JU3

KEY Part #: K6533036

APT35GT120JU3 価格設定(USD) [4698個在庫]

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  • 100 pcs$9.15397

品番:
APT35GT120JU3
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
IGBT 1200V 55A 260W SOT227.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT35GT120JU3 製品の属性

品番 : APT35GT120JU3
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : IGBT 1200V 55A 260W SOT227
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 55A
パワー-最大 : 260W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 35A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 2.53nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : ISOTOP
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227