DDB6U85N16LHOSA1 価格設定（USD） [857個在庫]
- 1 pcs$54.21469
- 品番:
- DDB6U85N16LHOSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT MODULE 1600V 60A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies DDB6U85N16LHOSA1 electronic components. DDB6U85N16LHOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DDB6U85N16LHOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DDB6U85N16LHOSA1 製品の属性
品番 :
DDB6U85N16LHOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT MODULE 1600V 60A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオード構成 :
3 Independent
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1600V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
60A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.44V @ 100A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
5mA @ 1600V
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
AG-ISOPACK-1
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