Vishay Semiconductor Diodes Division - BZD27C6V2P-M-18

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BZD27C6V2P-M-18 価格設定(USD) [954299個在庫]

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品番:
BZD27C6V2P-M-18
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZD27C6V2P-M-18 製品の属性

品番 : BZD27C6V2P-M-18
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, BZD27C
部品ステータス : Active
電圧-ツェナー(公称)(Vz) : 6.2V
公差 : -
パワー-最大 : 800mW
インピーダンス(最大)(Zzt) : 3 Ohms
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 2V
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 200mA
動作温度 : -65°C ~ 175°C
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-219AB (SMF)

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