Infineon Technologies - IFS150B12N3E4PB11BPSA1

KEY Part #: K6533347

IFS150B12N3E4PB11BPSA1 価格設定(USD) [444個在庫]

  • 1 pcs$104.47332

品番:
IFS150B12N3E4PB11BPSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOD IGBT LOW PWR ECONO.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IFS150B12N3E4PB11BPSA1 electronic components. IFS150B12N3E4PB11BPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IFS150B12N3E4PB11BPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IFS150B12N3E4PB11BPSA1 製品の属性

品番 : IFS150B12N3E4PB11BPSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOD IGBT LOW PWR ECONO
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Full Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 300A
パワー-最大 : 750W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 150A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 9.3nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • CPV364M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • MG06400D-BN4MM

    Littelfuse Inc.

    IGBT 600V 500A 1250W PKG D.

  • MG1275W-XBN2MM

    Littelfuse Inc.

    IGBT MOD 1200V 75A PKG W CRCTXB.

  • MG06150S-BN4MM

    Littelfuse Inc.

    IGBT 600V 225A 500W PKG S.