FDD120AN15A0 価格設定（USD） [192110個在庫]
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- 品番:
- FDD120AN15A0
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 150V 14A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDD120AN15A0 electronic components. FDD120AN15A0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD120AN15A0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD120AN15A0 製品の属性
品番 :
FDD120AN15A0
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.8A (Ta), 14A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
120 mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
770pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
65W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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