GeneSiC Semiconductor - MBR40035CTR

KEY Part #: K6468439

MBR40035CTR 価格設定（USD） [1067個在庫]

1 pcs$25.39347

品番:: MBR40035CTR

メーカー:: GeneSiC Semiconductor

詳細な説明:: DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 400A Schottky Recovery

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

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発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR40035CTR electronic components. MBR40035CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR40035CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

MBR40035CTR 製品の属性

品番 : MBR40035CTR

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode

ダイオードタイプ : Schottky, Reverse Polarity

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 35V

電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） : 400A (DC)

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 700mV @ 200A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 35V

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : Twin Tower

サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower

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