Microsemi Corporation - APTGLQ50VDA65T3G

KEY Part #: K6533157

APTGLQ50VDA65T3G 価格設定(USD) [2590個在庫]

  • 1 pcs$16.72175

品番:
APTGLQ50VDA65T3G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
POWER MODULE - IGBT.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGLQ50VDA65T3G 製品の属性

品番 : APTGLQ50VDA65T3G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : POWER MODULE - IGBT
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Dual Boost Chopper
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 70A
パワー-最大 : 175W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.3V @ 15V, 50A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 50µA
入力容量(Cies)@ Vce : 3.1nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : SP3F

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