[12940個在庫]
- 品番:
- STE110NS20FD
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STE110NS20FD electronic components. STE110NS20FD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STE110NS20FD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STE110NS20FD 製品の属性
品番 :
STE110NS20FD
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
シリーズ :
MESH OVERLAY™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
110A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
24 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
504nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
7900pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOTOP®
パッケージ/ケース :
ISOTOP
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