GeneSiC Semiconductor - MBRT12030

KEY Part #: K6468900

MBRT12030 価格設定(USD) [1746個在庫]

  • 1 pcs$24.78775
  • 50 pcs$18.86706

品番:
MBRT12030
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 30V 120A 3TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 30P/21R
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRT12030 製品の属性

品番 : MBRT12030
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 30V 120A 3TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 30V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 120A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 750mV @ 60A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 20V
動作温度-ジャンクション : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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