Vishay Semiconductor Diodes Division - BZG05C82-HE3-TR3

KEY Part #: K6507779

BZG05C82-HE3-TR3 価格設定(USD) [9403個在庫]

  • 6,000 pcs$0.04352

品番:
BZG05C82-HE3-TR3
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BZG05C82-HE3-TR3 electronic components. BZG05C82-HE3-TR3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZG05C82-HE3-TR3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZG05C82-HE3-TR3 製品の属性

品番 : BZG05C82-HE3-TR3
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE ZENER 82V 1.25W DO214AC
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Obsolete
電圧-ツェナー(公称)(Vz) : 82V
公差 : ±5%
パワー-最大 : 1.25W
インピーダンス(最大)(Zzt) : 200 Ohms
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 62V
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 200mA
動作温度 : 150°C
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AC

あなたも興味があるかもしれません
  • BZX55A9V1-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35.

  • BZX55A8V2-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35.

  • BZX55A7V5-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35.

  • BZX55A6V2-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35.

  • BZX55A6V8-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35.

  • BZX55A5V6-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35.