RGTV00TK65GVC11 価格設定（USD） [15612個在庫]
- 1 pcs$2.63979
- 品番:
- RGTV00TK65GVC11
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RGTV00TK65GVC11 electronic components. RGTV00TK65GVC11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGTV00TK65GVC11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGTV00TK65GVC11 製品の属性
品番 :
RGTV00TK65GVC11
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
45A
電流-パルスコレクター（Icm） :
200A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.9V @ 15V, 50A
パワー-最大 :
94W
スイッチングエネルギー :
1.17mJ (on), 940µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
104nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
41ns/142ns
試験条件 :
400V, 50A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-3PFM, SC-93-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3PFM
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