[1283個在庫]
- 品番:
- BY229B-800HE3/81
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BY229B-800HE3/81 electronic components. BY229B-800HE3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BY229B-800HE3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BY229B-800HE3/81 製品の属性
品番 :
BY229B-800HE3/81
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
800V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.85V @ 20A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
145ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 800V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
動作温度-ジャンクション :
-40°C ~ 150°C
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
-
-
-
RURD4120S9A-F085
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 1.2KV 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 1200V Ultrafast
-
FFSD10120A
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO252. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky Diode
-
-
ホットパーツ
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A