ON Semiconductor - HGT1S20N60C3S9A

KEY Part #: K6424833

HGT1S20N60C3S9A 価格設定(USD) [34819個在庫]

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品番:
HGT1S20N60C3S9A
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 600V 45A 164W TO263AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGT1S20N60C3S9A 製品の属性

品番 : HGT1S20N60C3S9A
メーカー : ON Semiconductor
説明 : IGBT 600V 45A 164W TO263AB
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 45A
電流-パルスコレクター(Icm) : 300A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.8V @ 15V, 20A
パワー-最大 : 164W
スイッチングエネルギー : 295µJ (on), 500µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 91nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 28ns/151ns
試験条件 : 480V, 20A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : -
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB