VBT10200C-E3/8W 価格設定（USD） [172490個在庫]
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- 品番:
- VBT10200C-E3/8W
- 詳細な説明:
- DIODE SCHOTTKY 10A 200V TO-263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 200V TrenchMOS
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VBT10200C-E3/8W electronic components. VBT10200C-E3/8W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VBT10200C-E3/8W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VBT10200C-E3/8W 製品の属性
品番 :
VBT10200C-E3/8W
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE SCHOTTKY 10A 200V TO-263AB
シリーズ :
TMBS®
部品ステータス :
Active
ダイオード構成 :
1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ :
Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
5A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.6V @ 5A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
150µA @ 200V
動作温度-ジャンクション :
-40°C ~ 150°C
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
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