Infineon Technologies - DD600S65K3NOSA1

KEY Part #: K6472750

DD600S65K3NOSA1 価格設定(USD) [46個在庫]

  • 1 pcs$754.66677

品番:
DD600S65K3NOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 6500V 600A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DD600S65K3NOSA1 製品の属性

品番 : DD600S65K3NOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 6500V 600A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 2 Independent
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 6500V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : -
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 3.5V @ 600A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 900A @ 3600V
動作温度-ジャンクション : -50°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : A-IHV130-6

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