ON Semiconductor - SURS8120T3G-IR01

KEY Part #: K6447804

SURS8120T3G-IR01 価格設定(USD) [807402個在庫]

  • 1 pcs$0.04581

品番:
SURS8120T3G-IR01
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GP ULT FAST 200V 1A SMB. Rectifiers REC SMB SPECIAL ULTFST
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor SURS8120T3G-IR01 electronic components. SURS8120T3G-IR01 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SURS8120T3G-IR01, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SURS8120T3G-IR01 製品の属性

品番 : SURS8120T3G-IR01
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GP ULT FAST 200V 1A SMB
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 875mV @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 35ns
電流-Vrでの逆漏れ : 2µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ : SMB
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • RURD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

  • RURD660S9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

  • FFSD08120A

    ON Semiconductor

    1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

  • RURD460S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

  • DSTD5200

    Littelfuse Inc.

    DIODE SCHOTTKY 5A 200V TO-252. Schottky Diodes & Rectifiers 200V 5A

  • FFD04H60S

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK. Rectifiers 600V, 4A Hyperfast II