Infineon Technologies - IDH12G65C5XKSA2

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IDH12G65C5XKSA2 価格設定(USD) [15930個在庫]

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品番:
IDH12G65C5XKSA2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE SCHOTKY 650V 12A TO220-2-1. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDH12G65C5XKSA2 製品の属性

品番 : IDH12G65C5XKSA2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE SCHOTKY 650V 12A TO220-2-1
シリーズ : CoolSiC™
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 650V
電流-平均整流(Io) : 12A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 12A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 190µA @ 650V
静電容量@ Vr、F : 360pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-2-1
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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