現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. ディスクリート半導体製品
  4. トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
  5. FDME510PZT

ON Semiconductor - FDME510PZT

KEY Part #: K6416478

FDME510PZT 価格設定（USD） [370455個在庫]

  • 1 pcs$0.10034
  • 5,000 pcs$0.09984
品番:
FDME510PZT
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDME510PZT electronic components. FDME510PZT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDME510PZT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDME510PZT 製品の属性

品番 : FDME510PZT
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 37 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 22nC @ 4.5V
Vgs（最大） : ±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1490pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.1W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : MicroFet 1.6x1.6 Thin
パッケージ/ケース : 6-PowerUDFN

最新ニュース

ON Semiconductor FSB50250B & FSB50250BS Motion SPM® 5 Modules
ON Semiconductor NVMFD6H852NL 80V 25A Automotive Power MOSFET
ON Semiconductor FSA515 Depletion Switch
ON Semiconductor NTMYS010N04CL 40V Industrial Power MOSFET
ON Semiconductor FSL538AFLYGEVB Evaluation Board
ON Semiconductor NCP187 1.2A Low Dropout Linear Voltage Regulator
ON Semiconductor LMV321, NCV321, LMV358, & LMV324 CMOS Op Amps
ON Semiconductor NCP1095 High Power PoE-PD Controller
ON Semiconductor NCP1096 High Power PoE-PD w/ Internal Hot Swap FET
ON Semiconductor LV8716QAGEVK Evaluation Kit
ON Semiconductor FUSB308BV USB Type-C® Port Controller with USB-PD
ON Semiconductor NCL2801LED1GEVB Evaluation Board
あなたも興味があるかもしれません
  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

ホットパーツ