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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400C-3DBLI

KEY Part #: K936705

IS43DR86400C-3DBLI 価格設定（USD） [14836個在庫]

  • 1 pcs$3.69537
  • 242 pcs$3.67698
品番:
IS43DR86400C-3DBLI
メーカー:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
詳細な説明:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、PMIC-照明、バラストコントローラ, PMIC-ホットスワップコントローラー, PMIC-バッテリー充電器, クロック/タイミング-クロックジェネレーター、PLL、周波数シンセサイザー, 組み込み-マイクロコントローラー、マイクロプロセッサー、FPGAモジュール, PMIC-AC DCコンバーター、オフラインスイッチャー, インターフェース-シグナルターミネーター and インターフェース-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBLI electronic components. IS43DR86400C-3DBLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400C-3DBLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400C-3DBLI 製品の属性

品番 : IS43DR86400C-3DBLI
メーカー : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
説明 : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM - DDR2
メモリー容量 : 512Mb (64M x 8)
クロック周波数 : 333MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 15ns
アクセス時間 : 450ps
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.7V ~ 1.9V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 60-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 60-TWBGA (8x10.5)

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